Gassintroduksjon
Etylsilan er en uorganisk forbindelse med den kjemiske formelen Si2H6. Det er en fargeløs, gjennomsiktig og giftig gass med en ubehagelig og irriterende lukt ved romtemperatur og trykk. Den har kjemiske egenskaper som ligner på silan, men dens reaktivitet er sterkere enn silan. Det er mer ustabilt enn silan og brytes sakte ned til silan og hydrogen ved romtemperatur. Dekomponer til SiH4, SinHm, H2 ved 300-500 ℃, og spaltes også under lys. Hovedsakelig brukt i solceller, lysfølsomme roterende rør, amorfe silisiumfilmer, epitaksial vekst, oksidfilmer, nitridfilmer, kjemisk dampavsetning og andre aspekter.
Grunnleggende egenskaper
Etylsilan er en fargeløs gjennomsiktig væske som spontant antennes i luft, med et antennelsespunkt under romtemperatur. Når den møter luft, brenner den umiddelbart og brytes ned til SiH4 og H2. Forbrenningskonsentrasjonsområdet er bredt, og når konsentrasjonen er over 0,2 %, avgis det en flamme under forbrenningen; Når konsentrasjonen er under 0,2 %, utføres en oksidasjonsreaksjon for å generere hvit SiO2. Eksplosiv forbrenning i klorgass. Reager eksplosivt med halogengasser, men ved lave temperaturer, utfør moderat halogenering. Hvis den kommer i kontakt med SF6, vil den eksplodere. Intens reaksjon med karbontetraklorid og kloroform. Reager og spaltes med alkalimetaller og kvikksølvlegeringer for å produsere silan og hydrogen. Reager med kaustisk kalium for å frigjøre H2. Det reagerer ikke med rent vann og syre, men reagerer med alkali for å produsere silikater og hydrogen. Selv tilstedeværelsen av spormengder av alkali oppløst fra glass kan forårsake hydrolyse av etan. I nærvær av KH- eller LiCl-urenheter brytes det sakte ned ved romtemperatur.
Si2H6- → SiH4+(SiH2) x
Etylsilan er løselig i karbondisulfid, etylalkohol, benzen og etylkiselsyre. Det korroderer gummi, smør, smøremidler, bly osv., men korroderer ikke de fleste metaller.
Hovedbruk
1. Brukes i solceller, lysfølsomme roterende rør, amorfe silisiumfilmer, epitaksial vekst, oksidfilmer, nitridfilmer, kjemisk dampavsetning og andre felt. Ved produksjon av solceller er avsetningshastigheten av etylensilan på amorfe silisiumskiver mye raskere enn silan, og temperaturen kan reduseres med 200-300 ℃. Ved ioneimplantasjon er det mer sannsynlig at bruk av etan som ionekilde gløder og har en sterkere strålestrøm, noe som resulterer i betydelig bedre resultater enn å bruke andre gasser som ionekilder.
2. I halvlederteknologi brukes den til epitaksiale og diffusjonsprosesser, samt til lysfølsomme trommer som brukes i solceller og elektronisk fotografering.
