Elektroniske blandede gasser er mye brukt i storskala integrerte kretser (LSI), ultra storskala integrerte kretser (VLSI) og produksjon av halvlederenheter. De brukes hovedsakelig i gassfase-epitaksi (produksjon), kjemisk dampavsetning, doping (urenhetsdiffusjon), ulike etse- og ioneimplantasjonsprosesser.
Ingen elektronisk sammendrag av blandingsgass
1. Diklorsilan (DCS) 5000 ppm+N2; Diklorsilan (DCS) 15 ppm+N2
2 diklorsilan (DCS) 10 ppm + triklorsilan (TCS) 10 ppm + helium
3 HCI 50 ppm + diklorsilan (DCS) 1000 ppm + likevekt He
4 Silan 1%+Diklorsilan (DCS) 1%+Triklorsilan (TCS) 1%+Tetraklorsilan 1%+Nitrogen
5 Silan 50ppm+Triklorsilan (TCS) 1000ppm+He
6 Triklorsilan (TCS) 15 ppm+N2
7 Etylsilan (Si2H4) 100ppm~200ppm+H2
8 Etylsilan 10 ppm+He
9 CO2 5 ppm+silan 135 ppm+etylsilan 1000 ppm+He
10 SiH4 5ppm~15%+Ar (H2/N2/He)
11 H2 5ppm+Ar 5ppm+N2 5ppm+CO 5ppm+CH4 5ppm+Equilibrium He av CO2 5ppm+silan 1000ppm
12 Etylboran 50-100 ppm+H2
13 Arsenan 100 ppm~0,7%+H2
14 germanan 1%~10%+H2
15 Bortriklorid 1%~5%+N2 (He)
16 PH3 0,8 ppm~500 ppm+He (H2)
17 HC1 9 ppm~50%+N2
18 NF3 99,99 % 180g~1500g
19 NF3 20ppm~30ppm+luft
20 NF3 15 ppm+N2
21 CF4 80%+O2
22 Ar 5ppm~80%+Ne (H2/He/N2)
DKK 23 8%~50%+år
24 Nei 80%~97%+Ar
